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潘 峰
教授、博士生导师

        博士,清华大学教授、博士生导师,国家“万人计划”科技创新领军人才,国家杰出青年科学基金获得者,国家创新人才推进计划重点领域创新团队负责人,全国优秀科技工作者。长期在新材料领域从事薄膜材料结构与性能调控技术、声表面波材料与器件、阻变存储材料与器件、磁性材料与自旋电子学等研究,获五项国家级和十项省部级科研成果奖励,以及何梁何利基金科学与技术进步奖、中国真空科技成就奖。发表SCI论文350余篇,出版专著两部、教材一本,授权国家发明专利36件,国际专利2件。

【联系方式】
         实验室:逸夫技科楼C401(办公室),C402,C403,C404,C405,A405,A407,A409,A411.
         电话:+86 10-62772907
         传真:+86 10-62771160
         E-mail: panf@mail.tsinghua.edu.cn

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  • 教育背景
  • 工作履历
  • 学术兼职
  • 研究领域
  • 奖励与荣誉
  • 学术成果

1991.2-1993.9 清华大学材料科学与工程系博士研究生
1983.9-1986.1 北京航空材料研究所硕士研究生
1979.9-1983.8 中南工业大学材料系读本科


1993.10 - 现在 澳门新葡萄赌场娱乐任副教授、教授(1996)、博士生导师(1998)
1998.10- 2010.1 清华大学先进材料教育部重点实验室主任
1998.1-2001.9 清华大学材料科学与工程系副主任
1997.3-2007.7 清华大学材料科学与工程研究院副院长
1986.2-1991.1 北京航空材料研究所任助理工程师、工程师、厂长等

“十三五”国家重点研发计划“重点基础材料技术提升与产业化”重点专项专家组长
“十二五”863新材料领域新型电子材料与器件主题专家组长
“十一五”863新材料领域专家
“十五”863新材料领域特种功能材料技术主题副组长
教育部高等学校材料科学与工程教学指导委员会委员(2007-2013),材料物理与化学分委员会委员(2013-)
北京市人民政府专家顾问团专家(2001-2012)
国际薄膜学会副理事长(2009-2013)
中国真空学会常务理事(2004-)、副理事长(2004-2013)、薄膜专业委员会主任委员(1998- )
中国材料研究学会常务理事(2003-)、青年委员会主任(1999-2005)
中国晶体学会常务理事(2004- )
《航空材料学报》《真空科学与技术》《功能材料》《材料科学与工程》《表面工程》《Journal of Nanoscience Letters》等杂志编委


1、薄膜材料结构与性能调控技术
2、声表面波材料与器件
3、阻变存储器材料与器件
4、自旋电子学材料与器件
5、离子束与材料相互作用


2018年何梁何利基金科学与技术进步奖
2018年国家科技进步二等奖,高世代声表面波材料与滤波器产业化技术,第一获奖人
2012年国家自然科学二等奖,氧化锌薄膜多功能化的结构与性能调控,第一获奖人
2009年国家科技进步二等奖,移动通讯用滤波器关键技术及产业化,第二获奖人
2007年国家技术发明二等奖,中高频声表面波关键材料及应用研究,第一获奖人
1999年国家自然科学三等奖,离子束材料改性中若干基础问题的研究,第五获奖人
另外获2017年度教育部科技进步一等奖,2011年度教育部自然科学一等奖,2006年北京市科学技术进步奖一等奖、1998年北京市科学技术进步奖一等奖,2004年中国真空学会真空科技成就奖等多项成果奖励


【代表性论文】

  1. F. Pan, C. Song, X. J. Liu, Y. C. Yang, F. ZengFerromagnetism and possible application in spintronics of transition-metal-doped ZnO filmsMaterials Science and Engineering R: Reprots62(1), 1-35(2008).

  2. F. Pan, S. Gao, C. Song, C. Chen, F. Zeng, Recent progress of resistive random access memories: materials, switching mechanisms, and performance, Materials Sciences and Engineering R: Reports, 83, 1-59(2014).

  3. X. Z. Chen, X. F. Zhou, R. Cheng, C. Song, J. Zhang, Y. C. Wu, Y. Ba, H. B. Li, Y. M. Sun, Y. F. You, Y. G. Zhao and F. Pan, Electric field control of Néel spin–orbit torque in an antiferromagnet. Nature Materials, 18, 931-935 (2019).

  4. X. Z. Chen, J. F. Feng, Z. C. Wang, J. Zhang, X, Y, Zhong, C. Song, L. Jin, B. Zhang, F. Li, M. Jiang, Y. Z. Tan, X. J. Zhou, G. Y. Shi, X. F. Zhou, X. D. Han, S. C. Mao, Y. H. Chen, X. F. Han and F. Pan, Tunneling anisotropic magnetoresistance driven by magnetic phase transition, Nature Communications, 8,449(2017).

  5. C. Song, B. Cui, B, F. Li, X. J. Zhou, and F. Pan, Recent progress in voltage control of magnetism: Materials, mechanisms, and performance, Progress in Materials Science, 87, 33-82(2017).

  6. R. Y. Chen, Y. Gao, X. C. Zhang, R. Q. Zhang, S. Q. Yin, X. Z. Chen, X. F. Zhou, Y. J. Zhou, J. Xia, Y. Zhou, S. G. Wang, F. Pan, Y. Zhang, C. Song, Realization of Isolated and High-Density Skyrmions at Room Temperature in Uncompensated Synthetic Antiferromagnets. Nano letters, 20(5), 3299-3305, (2020).

  7. Y. C. Yang, F. Pan, Q. Liu, M. Liu, and F. Zeng, Fully room-temperature-fabricated nonvolatile resistive memory for ultrafast and high-density memory application, Nano Letters, 9, 1636-1642 (2009).

  8. J. C. Sun, Y. Y. Wang, S. Q. Guo, B. S. Wan, L. Q. Dong, Y. D. Gu, C. Song, C. F. Pan, Q. H. Zhang, L. Gu, F. Pan, and J. Y. Zhang, Lateral 2D WSe2 p–n Homojunction Formed by Efficient Charge-Carrier-Type Modulation for High-Performance Optoelectronics. Advanced Materials, 1906499, (2020).

  9. F. Li, C. Song, Y. D. Gu, B. Cui, J. J. Peng, G. Y. Wang, F. Pan, Photon-gated spin transistor, Advanced Materials, 29, 1604052(2017).

  10. Y. Y. Wang , X. J. Zhou, C. Song, Y. N. Yan, S. M. Zhou, G. Y. Wang, C. Chen, F. Zeng and F. Pan, Electrical control of the exchange spring in antiferromnetic metals, Advanced Materials, 27, 3196-3201 (2015).

  11. B Cui, C Song, H. J. Mao, J. J. Peng,  F. Li, H. Q. Wu, G. Y. Wang, F. Zeng and F. Pan,     Magnetoelectric coupling induced by interfacial orbital reconstruction, Advanced Materials, 27, 6651-6657(2015).

  12. G. Chen, C. Song, C. ChenS. GaoF. Zeng and F. Pan, Resistive Switching and magnetic Moudulation in Cobalt-doped ZnO, Advanced Materials, 243515-3520 (2012).

  13. J. H. Han, C. Song, S. Gao, Y. Y. Wang, C. Chen, and F. PanRealization of the Meminductor, ACS Nano, 8(10), 10043-10047(2014).

  14. Y. M. Sun, X. L. Zhao, C. Song, K. Xu, Y. Xi, J. Yin, Z. Y. Wang, X. F. Zhou, X. Z. Chen, G. Y. Shi, H. B. Lv, Q. Liu, F. Zeng, X. Y. Zhong, H. Q. Wu, M. Liu, and F. Pan, Performance Enhancing Selector via Symmetrical Multilayer Design, Advanced Functional Materials, 29, 1808376 (2019).

  15. Y. Y. Wang, C. Song, G. Y. Wang, J. H. Miao, F. Zeng and F. Pan, Anti-ferromagnet controlled tunneling magnetoresistance, Advanced Functional Materials, 24, 6806-6810(2014).

  16. J. Yin, F. Zeng, Q. Wan, F. Li, Y. M. Sun, Y. D. Hu, J. L. Liu, G. Q. Li and F. Pan, Adaptive Crystallite Kinetics in Homogenous Bilayer Oxide Memristor for Emulating Diverse Synaptic Plasticity, Advanced Functional Materials, 28, 1706927(2018).

  17. B. Cui, C. Song, F. Li, H. J. Mao, J. J. Peng, S. Gao, F. Zeng, and F. Pan, Manipulation of electric field effect by orbital switch, Advanced Functional Materials, 26, 753-759(2016).

  18. B. Cui, C. Song, et al, Electrical manipulation of orbital occupancy and magnetic anisotropy in manganites, Advanced Functional Materials, 25, 864-870,(2015).

  19. B. CuiC. SongG. Y. WangY. N. YanJ. J. Peng , J. H. Miao, F. LiC. ChenF. Zeng and F. PanReversible ferromagnetic phase transition in electrode gated manganite, Advanced Functional Materials, 24, 7233-7240 (2014).

  20. X. Z. Chen, R. Zarzuela, J. Zhang, C. Song, X. F. Zhou, G. Y. Shi, F. Li, H. A. Zhou, W. J. Jiang, F. Pan, and Y. Tserkovnyak, Antidamping-Torque-Induced Switching in Biaxial Antiferromagnetic Insulators. Physical Review Letters, 120, 207204 (2018)

  21. Y. Y. Wang, C. Song, B. Cui, G. Y. Wang, F. Zeng, and F. Pan, Room-temperature perpendicular exchange coupling and tunneling anisotropic magnetoresistance in antiferromagnet-based tunnel junction, Physical Review Letters, 109,137201(2012).

  22. Y. C. Yang, X. X. Zhang, M. Gao, F. Zeng, W. Y. Zhou, S. S. Xie, F. Pan, Nonvolatile resistive switching in single crystalline ZnO nanowires, Nanoscale, 3, 1917(2011).

  23. C. Song, F. Zeng, Y. X. Shen, K. W. Geng, Y, N. XieZ. Y. Wu, F. Pan, Local Co structure and ferromagnetism in ion-implanted Co-doped LiNbO3, Physical Review B, 73, 172412(2006).

  24. S. L. Fu, W. B. Wang, Q. Li, Z. T. Lu, Z. L. Chen, J. T. Luo, J. Y. Shen, R. Wang, C. Song, F. Zeng, and F. Pan, High-frequency V-doped ZnO/SiC surface acoustic wave devices with enhanced electromechanical coupling coefficient, Applied Physics Letters, 114113504(2019).

  25. S. L. Fu, W. B. Wang, L. R. Qian, Q. Li, Z. T. Lu, J. Y. Shen, C. Song, F. Zeng , and F. Pan, High-Frequency Surface Acoustic Wave Devices Based on ZnO/SiC Layered Structure. IEEE Electron Device Letters, 40, 103(2019).

  26. Q. Li, S. L. FuR. Wang, C. Song, F. Zeng, and F. Pan, Enhanced power durability of surface acoustic wave filter with Al/Ti/Cu/Ti electrodesJournal of Alloys and Compounds, 740, 222–228(2018).

  27. H. Y. Liu, F. Zeng, G. S. Tang, G. Y. Wang, C. Song, and F. Pan, Significant enhancement in electromigration resistance and texture of aluminum films using ultrathin titanium underalyer, Acta Materialia, 614619-4624(2013).

  28. J. T. Luo, F. Pan, P. Fan, F. Zeng, D. P. Zhang, Z. H. Zheng, and G. X. Liang Cost-effective and high frequency surface acoustic wave filters on ZnO:Fe/Si for low-loss and wideband applicationApplied Physics Letters, 101, 172909(2012).

  29. J. T. Luo, F. Zeng, F. Pan, H. F. Li, J. B. Niu, R. Jia, M. Liu, Filtering performance improvement in V-doped ZnO/diamond surface acoustic wave filters, Applied Surface Science, 256, 3081-3085(2010).

  30. D. M. Li, Q. Li, F. Pan, Improvement in power durability of Al electrode films used in SAW devices by Zr additive and Ti underlayer, Journal of Electronic Materials, 37 (2): 180-184(2008).


【授权发明专利】

【国际专利】
1. Magnetisch kodiertes Dünnfilmprodukt und Verfahren zu dessen Herstellung. 专利号:DE 112008000070,发明人:曹瑜,李晓伟,李新宇,潘峰,杨晶,曾飞。(德国专利)
2. Security functional thin film and security product containing the functional thin film.专利号:US 8257840,发明人:李晓伟,李新宇,李策,杨晶,潘峰,李彩霞,曹瑜。(美国专利)

【国内专利】
3.一种由磁相转变驱动的隧道磁电阻器件。专利号:ZL201710740196.1,发明人:宋成,陈贤哲,潘峰。
4.一种用于温度补偿声表面波器件的材料及其制备方法。专利号:ZL201610951951.6,发明人:曾飞,傅肃磊,李起,潘峰,王光月。
5.一种大的正温度系数的氧化硅薄膜及其沉积方法。专利号:ZL201610946312.0,发明人:曾飞,李起,潘峰,傅肃磊,王光月。
6.高质量a面氮化铝薄膜及其制备方法与应用。专利号:ZL201610898631.9,发明人:曾飞,傅肃磊,李起,潘峰,彭晶晶。
7.在单磁阻器件实现所有16种二元布尔逻辑运算的方法。专利号:ZL201511000779.8,发明人:曾飞,高双,潘峰,宋成,崔彬,李起。
8.一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用。专利号:ZL201510801540.4,发明人:曾飞,傅肃磊,潘峰,李起,王敏涓。
9.一种轨道开关及其制备方法与应用。专利号:ZL201510514698.3,发明人:宋成,崔彬,潘峰。
10.一种长时程记忆的频率响应学习器及其制备方法。专利号:ZL201510230713.1,发明人:董文帅,曾飞,鹿思珩,潘峰。
11.一种电场调控的反铁磁基霍尔器件及其制备方法。专利号:201510102442.1,发明人:宋成,王钰言,潘峰。
12.高c轴取向氮化铝薄膜及其制备方法与应用。专利号:201510794985.4,发明人:曾飞,李起,潘峰,傅肃磊。
13.在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法。专利号:ZL201410705974.X,发明人:曾飞,李起,潘峰,高双。
14.耐高温多铁性氮化铝薄膜及其制备方法。专利号:ZL 201410479805.9,发明人:曾飞,刘宏燕,王光月,潘峰。
15.一种基于垂直交换耦合的磁场探测器及其制备和使用方法。专利号:ZL201410148982.9,发明人:宋成,王钰言,潘峰。
16.一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法。专利号:ZL201410264504.4,发明人:宋成,憨家豪,潘峰。
17.一种具有高可见光透过率和高压电常数的共掺杂ZnO薄膜。专利号:ZL201210004182.0,发明人:曾飞,刘宏燕,杨晶,潘峰,罗景庭。
18.一种可调控介质层磁性的阻变存储器。专利号:ZL201210186988.6,发明人:宋成,潘峰,陈光,彭晶晶。
19.一种CuCr合金触头材料及其制备方法。专利号:ZL201110412822.7,发明人:潘峰,王光月,曾飞。
20.一种制备金属纳米条纹的方法。专利号:ZL201110168949.9,发明人:潘峰,唐光盛,曾飞。
21.一种具有室温铁磁性的铌酸锂薄膜及其制备方法。专利号:ZL201110170928.0,发明人:曾飞,盛蓬,潘峰,唐光盛。
22.一种ZnO基稀磁薄膜及其制备方法。专利号:ZL201110166520.6,发明人:潘峰,王钰言,曾飞,陈光。
23.一种基于SOI材料的具有自整流效应的阻变存储器。专利号:ZL20110155407.8, 发明人:潘峰,陈超,曾飞,罗景庭,唐光盛。
24.一种提高ZnO薄膜材料的压电常数的方法。专利号:ZL201010170458.3,发明人:潘峰,罗景庭,曾飞。
25.一种非易失性阻变存储器结构及其制备方法。专利号:ZL200910081636.2,发明人:潘峰,杨玉超,曾飞。
26.一种磁场调节中心频率的声表面波滤波器及其制备方法。专利号:ZL200810119667.8,发明人:曾飞,潘峰。
27.具有大压电常数和高电阻率的ZnO薄膜。专利号:ZL200710118646.X,发明人:潘峰;王旭波;曾飞,杨玉超。
28.磁性编码薄膜材料及其制备方法。专利号:ZL200710122027.8,发明人:李晓伟,曹瑜,杨琼,李新宇,曾飞,潘峰。
29.一种防伪功能薄膜及包含该薄膜的防伪物。专利号:ZL200710122026.3,发明人:李晓伟,李新宇,李策,杨琼,潘峰,李彩霞,曹瑜。
30.声表面波气体传感器的制造方法。专利号:ZL200710064333.0,发明人:李 强,李冬梅,潘 峰。
31.一种防伪薄膜及其制作方法。专利号:ZL200710105777.4,发明人:李新宇,李晓伟,潘峰,曾飞,曹瑜,杨惊,彭榕。
32.一种凹印版及其制作方法和真空沉积镀膜装置。专利号:ZL200710301411.4,发明人:刘永江,李晓伟,曾飞,潘峰,桂应琪,李万里。
33.一种在柔性基材上沉积磁性薄膜的方法。专利号:ZL200710142929.8, 发明人:曹瑜,李新宇,潘峰,李晓伟。
34.一种轴瓦表面过渡层、减摩层制备方法。专利号:ZL200510001076.7,发明人:曾飞,潘峰,李冬梅,文胜平。(国防专利)
35.一种表面纳米晶化改性的方法。专利号:ZL200510011856.X,发明人:曾飞,潘峰,李冬梅,文胜平。
36.具有抗电迁移的高频声表面波器件金属合金薄膜。专利号:ZL200510076884.X, 发明人:潘峰,李冬梅,曾飞,王旭波。
37.金刚石声表面波器件多层薄膜结构的制造方法。专利号:ZL200410096819.9, 发明人:潘峰,李冬梅,曾飞,王旭波。
38.高频声表面波器件金属薄膜的制造方法。专利号:ZL200410097198.6,发明人:潘峰,李冬梅,王旭波,曾飞。

【专著】
Books/Chapters:
1.潘峰,陈超,《阻变存储器材料与器件》,科学出版社,北京,2014. (Pan Feng, Chen Chao.
《Resistive Random Access Memory Materials and Devices》(in Chinese), Science Press, Beijing, 2014.)
2.潘峰等,《声表面波材料与器件》,科学出版社,北京,2012. (Pan Feng et al, 《Materials and Devices of Surface Acoustic Wave》(in Chinese), Science Press, Beijing, 2012)
3. C. Song and F. Pan, “Transition Metal-Doped Magnetic Oxides”(Chapter 7), in 《Semiconductors and Semimetals: Oxide Semiconductors》 Volume 88. Eds: Bengt G. Svensson, Stephen J. Pearton and ChennupatiJagadish. Pages 227-259. Elsevier, 2013,
4. Guest Editors: Pan Feng and Chen Xu, 《Physics Procedia》Vol.32, The 18th international Vacuum Congress (IVC-18), Elsevier, 2012.
5. Guest Editors: Pan Feng and OlindeConde, 《Thin Solid Films》, Special Issue for The 18th international Vacuum Congress (IVC-18), Vol.520 Issue2, Elsevier, 2011.
6. Yang G H, Xu D, Pan F, Metastable phases and their effects on the magnetic properties in some Co-based multilayers, In: 《Trends in condensed matter physics Research》Eds: John V. Chang,. Pages 121-140. Hauppauge: Nova Science Publishers, New York, 2005.

【教材】
1. 潘峰,王英华,陈超,《X射线衍射技术》,化学工业出版社,北京,2016.10.

【研究组主要成员】:
副教授/副研究员:曾飞、宋成
博士后:傅肃磊
工程师:陈通进、何兴帅、王瑞
博士生:孙一鸣、沈君尧、苏荣宣、乔磊磊、朱文轩、徐惠平、万钦、韩磊

【讲授课程】:
1.《X-光衍射分析》(本科生专业基础课、清华大学精品课)
2.《新型功能材料专题》(研究生课)

【已毕业博士生和硕士生】:
博士生及其现工作单位:
曾飞,清华大学
赵斌,上海理工大学
杨国华,宝山钢铁集团
耿魁伟,华南理工大学
谷宇,太原钢铁集团
李冬梅,中科院微电子研究所
王旭波,国家开发银行
李晓伟,中国人民银行造币总公司
宋成,清华大学
文胜平,北京工业大学
刘雪敬,中国人民银行造币总公司
宗瑞磊,中国石油化工集团公司
杨培勇,国家核电技术公司
杨玉超,北京大学
朱晓莹,装甲兵工程学院
罗景庭,深圳大学
陈光,北京神农投资管理股份有限公司
唐光盛,中国东方电气集团有限公司
陈超,中南大学
刘宏燕,中国航空工业集团公司
王钰言,北京航空航天大学
崔彬,山东大学
高双,中国科学院宁波材料技术与工程研究所
彭晶晶,北京航空材料研究院
李凡,德国马克思-普朗克研究所
李起,深圳市海思半导体有限公司
王敏涓,北京航空材料研究院
王小江,招商局集团有限公司
Muhammad Shahrukh Saleem,
陈贤哲,

硕士生:张明、张自淑、丁珉、李天舒、杨帆、李晖、贺汀、顾临、陈菁菁、冯爱玲、徐迪、丁宇清、魏晓雪、连江滨

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